30V 單 N 溝道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 SO-8 封裝
高頻率負載點同步降壓轉換器，用于網絡和計算系統應用。高頻率負載點同步降壓轉換器，用于網絡和計算系統應用。
工業標準引腳輸出 SO-8 封裝
與現有表面安裝技術兼容
無鹵
多供應商兼容性
更易于制造
環保
增強的可靠性
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 16 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | SO |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 8.7 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.25V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.35V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 5mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| 寬度 | 4mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
