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IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）分立和模塊

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。