非易失性存儲器以許多不同的形式存在。圖1所示為隨時間演變的各種非易失性存儲器類型。
由于應(yīng)用需求的推動,非易失性存儲器技術(shù)發(fā)展非常迅速。以前許多應(yīng)用只需存儲少量啟動代碼即可,而現(xiàn)在的應(yīng)用卻需要存儲千兆字節(jié)(GB)的音樂和視頻數(shù)據(jù),也因此為非易失性存儲器的發(fā)展帶來革命性的變化。非易失性存儲器起源于簡單的掩膜只讀存儲器(ROM),隨后演變成PROM,再后來成為EPROM。而1988年英特爾公布了快速隨機存取的NOR閃存。盡管EPROM技術(shù)已經(jīng)有了10多年的歷史,成熟度也大為完善,NOR閃存還是迅速占領(lǐng)了EPROM的內(nèi)存接口市場。而NAND閃存比NOR技術(shù)更早,已經(jīng)有20多年歷史了。最初,NAND閃存的年度發(fā)貨量增幅緩慢,后期則成為市場上炙手可熱的產(chǎn)品,其在市場上取得的成功主要歸功于它獨特的特點。
從讀取和寫入的角度來看,易失性存儲器通常都是非常快速的,而非易失性性存儲器的寫入一般較為緩慢；非易失性存儲器還在寫入上存在著固有的局限性,在一定次數(shù)的寫入操作后,存儲器會達到自己的承受極限而出現(xiàn)故障。而理想的存儲器應(yīng)當具備非易失性以及與SRAM類似的存取速度,同時沒有讀取/寫入限制,以及只消耗非常少的功率,這正是推動最新一代非易失性存儲器快速發(fā)展的因素。
沒有任何一款新存儲器能夠在所有領(lǐng)域都取得優(yōu)勢,但這些存儲器均在存儲器特性的某些重要方面取得了關(guān)鍵性的進步。nvSRAM、FRAM等產(chǎn)品正在朝此方向努力。
nvSRAM
無需電池的nvSRAM能夠在下電/掉電后在內(nèi)部存儲數(shù)據(jù),完全適合要求進行連續(xù)高速寫入數(shù)據(jù)以及具備高可靠非易失性的應(yīng)用。與nvSRAM相比,FRAM的主要優(yōu)勢在于它在給定陣列密度和制造光蝕刻工藝下具有較小的封裝尺寸,不過目前nvSRAM領(lǐng)先的是已開發(fā)出4Mb的nvSRAM器件。nvSRAM將比需要電池的存儲器更具競爭力,而且需要電池的存儲器在可靠性以及RoHS達標方面存在著重大的問題。通過賽普拉斯與Simtek的合作,在130nm CMOS制程中加入了一個SONOS制程模塊,從而使其能生產(chǎn)超過4Mb的nvSRAM產(chǎn)品。此外,還可以讓SONOS應(yīng)用于各種混合信號和SoC產(chǎn)品中。這將使nvSRAM存儲器從低容量應(yīng)用產(chǎn)品轉(zhuǎn)變一種大容量的高端存儲器,并在工業(yè)和計算應(yīng)用中贏得顯著的設(shè)計成果。
FRAM
FRAM是nvSRAM的主要競爭對手,其采用了將DRAM電容器介電材料更換成鐵電材料的概念:既可以采用鈣鈦晶體,例如PZT(鋯鈦酸鉛),也可以采用層狀鈣鈦材料,例如,SBT(鋯鈦酸鋇)。
MRAM
MRAM代表磁性隨機存儲器,將磁性器件與標準的硅片微電子線路結(jié)合起來以獲得非易失性、無限讀取和寫入耐久性的整體特性。
PRAM
PRAM存儲器的工作原理是采用了特定材料屬性的改變,即能夠通過加熱從晶態(tài)轉(zhuǎn)變成非晶態(tài)。
表1提供了不同非易失性存儲器技術(shù)的對比。
表1:不同非易失性存儲器技術(shù)的對比。
nvSRAM采用了每個存儲單元內(nèi)1個非易失位與1個快速SRAM位一對一配對的工作原理,在系統(tǒng)運行時,集成電路的的狀態(tài)也與標準快速SRAM完全一致,并能夠與現(xiàn)有的微處理器和微控制器輕松對接。存儲器能夠檢測到集成電路供電中斷或消失,并利用存儲在電容內(nèi)的能量來執(zhí)行一次快速的陣列寫入操作(不到13ms)將每一個SRAM位存入到非易失部分。這樣就能在供電恢復(fù)后從非易失部分向SRAM部分自動恢復(fù)數(shù)據(jù)。nvSRAM體系架構(gòu)允許進行無限次的讀取/寫入而且存取時間可以縮短到15ns。產(chǎn)品在各領(lǐng)域規(guī)定溫度范圍(通信、工業(yè)、軍用,等等)的數(shù)據(jù)保存額定期限均超過20年。這樣就無需在系統(tǒng)設(shè)計時采用不可靠的電池,并同時確保了最小的占用空間和最低的材料成本。
圖1:非易失性存儲器類型及其演變。
作者:Ritesh Mastipuram
NVM部門產(chǎn)品經(jīng)理
Rajesh Manapat
NVM部門主管
賽普拉斯半導(dǎo)體公司
